K4A8G165WB-BCTD

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4A8G165WB-BCTD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G165WB-BCTD000
K4A8G165WB-BCTDT

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x16
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A8G165WB-BCTD 20.160 22+ Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 20.160 Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 20.000 Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 0 Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 22.400 2021+ Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 50.000 2021+ Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 500 1943+ Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 2.358 Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD 10.080 Anfrage senden
K4A8G165WB-BCTD000 500 2019/43 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A512M16LY-075:E FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN8G6NAFR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKCTR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NCJR-VKIR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NDJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN8G6NJJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8G6NCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSAN8GENCJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
HSANAGBNCMR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C