K4B2G0846Q-BYMA

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4B2G0846Q-BYMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 256MX8 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B2G0846Q-BYMA 0 Anfrage senden
K4B2G0846Q-BYMA 10.000 Anfrage senden
K4B2G0846Q-BYMA 20.000 Anfrage senden
K4B2G0846Q-BYMA 0 Anfrage senden
K4B2G0846Q-BYMA 20.480 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B2G0846F-BCMA/BYMA FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846F-BYMA FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846F-BYMA/BCNB FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846F-BYMA000 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846F-BYMA0000 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846F-BYMA0CV FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846F-BYMAT00 FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C