K4B2G1646Q-BYK0 IC
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B2G1646Q-BYK0 IC |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
| IC-Code | 128MX16 DDR3 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | BGA |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 1.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1600 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 17th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B2G1646Q-BYK0 IC | 500 | 15+ | Anfrage senden |