K4E161611DTC60T

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E161611DTC60T
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 1M
Bit Organization x16
Density 16M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E161611DTC60T 6.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C1M16E5-60JTC TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16E5-60T1 TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16E5-60TC TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16E5-60TC TR TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16E5-60TC X TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16E5-60TCN TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16E5-60TCTR TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16E50-60TC TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16EO-60TC TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C
AS4C1M16EO-60TCN TSOP2(44/50) 5.0 V 60 NS 0 C~+70 C