K4E170412D-TC50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E170412D-TC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(24/26)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x4
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E170412D-TC50 1.000 00+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41LV44004-50T TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV44002B-50TL TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50T TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50T00 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-DC50TOO TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC5 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC50000 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C