K4E171612C-TL50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4E171612C-TL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Generation 4th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171612C-TL50 4.000 Anfrage senden
K4E171612C-TL50 2.258 2005+ Anfrage senden
K4E171612C-TL50 11.320 2007+ Anfrage senden
K4E171612C-TL50 8.336 05+ Anfrage senden
K4E171612C-TL50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E171612C-TL50 12.000 Anfrage senden
K4E171612C-TL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E171612C-TL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E171612C-TL50 500 Anfrage senden
K4E171612C-TL50 17.900 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41LV16100-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50TL TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C