K4H51163QG-HCF7
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4H51163QG-HCF7 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR1 SDRAM |
| IC-Code | 32MX16 DDR1 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 2.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133 MHZ |
| Standard Stückzahl | 1280 |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Generation | 8th Generation |
| Power | Normal Power |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4H51163QG-HCF7 | 0 | Anfrage senden | |
| K4H51163QG-HCF7 | 51.200 | 09+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4H511638B-UCB00HI | FBGA | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
| K4H511638J-BCB0 | FBGA | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
| K4H51163QI-HCF7 | FBGA | 2.5 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |