K4M51323PE-HG75TJR

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4M51323PE-HG75TJR
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 16MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung TAPE ON REEL
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x32
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low, i-TCSR & PASR & DS

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M51323PE-HG75TJR 1.863 Anfrage senden
K4M51323PE-HG75TJR 693 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M51323LC-DE75 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DG75 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DG750 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DG75000 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DG75T FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DG75TJR FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DN750 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DN750JR FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DN75T FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M51323LC-DN75T00 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C