K4S281632BTE1L

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S281632BTE1L
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S281632B-TE1L000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -25 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632BTE1L 2.000 2005+ Anfrage senden
K4S281632BTE1L 1.000 2007 Anfrage senden
K4S281632BTE1L 5.000 Anfrage senden
K4S281632BTE1L 1.025 Anfrage senden
K4S281632B-TE1L000 3.000 Anfrage senden
K4S281632BTE1L 3.000 2004 Anfrage senden
K4S281632BTE1L 46 Anfrage senden
K4S281632B-TE1L000 4.381 Anfrage senden
K4S281632BTE1L 500 00+ Anfrage senden
K4S281632B-TE1L000 500 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S281632B-L1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632B-T1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632B-TC1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632B-TC1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632B-TCL1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632B-TI1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632B-TL1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632BTL-1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632BTL1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C
K4S281632C-T1L TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -25 C~+70 C