K4S281632CTI75

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Hersteller-Nummer K4S281632CTI75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S281632C-TI75000
K4S281632C-TI75T00
K4S281632CTI75T

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Generation 4th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632CTI75 10.000 10+ Anfrage senden
K4S281632CTI75 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S281632CTI75 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S281632CTI75 1.862 2007+ Anfrage senden
K4S281632CTI75 2.544 10+ Anfrage senden
K4S281632CTI75 2.500 10+ Anfrage senden
K4S281632CTI75 10.000 Anfrage senden
K4S281632CTI75 12.000 Anfrage senden
K4S281632CTI75 6.000 Anfrage senden
K4S281632CTI75 6.988 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS1216AGTA-75TI-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16800B-75ETLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16800D-75ETLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16800E-75ETLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42S16800E-75TLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
IS42SM16800E-75ETLI TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S2816320-LI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632B-TI75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632C-TI/P75 SAMSU TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632C-TP1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C