K4S281632D-TP75

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Hersteller-Nummer K4S281632D-TP75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632D-TP75 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S281632D-TP75 10.000 Anfrage senden
K4S281632D-TP75 12.000 Anfrage senden
K4S281632D-TP75 6.000 Anfrage senden
K4S281632D-TP75 8.198 2004+ Anfrage senden
K4S281632D-TP75 8.200 2004+ Anfrage senden
K4S281632D-TP75 8.300 2004+ Anfrage senden
K4S281632D-TP75 8.206 2004+ Anfrage senden
K4S281632D-TP75 6.988 2003+ Anfrage senden
K4S281632D-TP75 18.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S281632D-TC75SAM TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC75TE0 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC75TOO TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TI/L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TI75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TI75000 X TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TI75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C