K4T1G084QD-ZCE60MJ

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Hersteller-Nummer K4T1G084QD-ZCE60MJ
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G084QD-ZCE60MJ 20.000 Anfrage senden
K4T1G084QD-ZCE60MJ 10.000 Anfrage senden
K4T1G084QD-ZCE60MJ 2.000 2009+ Anfrage senden
K4T1G084QD-ZCE60MJ 1.000 2008+ Anfrage senden
K4T1G084QD-ZCE60MJ 100.000 Anfrage senden
K4T1G084QD-ZCE60MJ 5.000 Anfrage senden
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K4T1G084QD-ZCE60MJ 20.480 07+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T1G084QD/E-HCE60MJ/00 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QD/E/Q-HCE60MJ/00 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QD0-ZCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-BCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6/HCF7 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE60 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE600 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE60000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C