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Hersteller-Nummer | K4T1G084QE-HCE6/HCF7 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR2 SDRAM |
IC-Code | 128MX8 DDR2 |
Gehäuse | FBGA-60 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 667 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 128M |
Bit Organization | x8 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4T1G084QE-HCE6/HCF7 | 30.000 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT47H128M8THK-37E:D | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H128M8THK-3:B | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H128M8THK-3:D | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
W971GG8JB-3 | TFBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |