K4T1G084QF-BCE6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T1G084QF-BCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G084QF-BCE6000
K4T1G084QF-BCE60CV
K4T1G084QF-BCE6T
K4T1G084QF-BCE6T00
K4T1G084QF-BCE6TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G084QF-BCE6 1.718 14+ Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 24.000 Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6000 6.500 Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 4.000 Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 23.643 14+ Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 249 1343+ Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 800 Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 1.280 11+ Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 5.660 Anfrage senden
K4T1G084QF-BCE6 0 13+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T1G084QE-HCE60000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6T FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6T00 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCLE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HLE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-ZCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/D-HCE6/0MJ/000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE600 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE6000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C