K4T1G084QG-BCE6

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Hersteller-Nummer K4T1G084QG-BCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G084QG-BCE6000
K4T1G084QG-BCE6T00
K4T1G084QG-BCE6TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

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Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4T1G084QG-BCE6000 46 1449 Auf Lager Anfrage senden

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Teilenummer Menge Datecode
K4T1G084QG-BCE6000 5.351 14+ Anfrage senden
K4T1G084QG-BCE6 4.000 Anfrage senden
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K4T1G084QG-BCE6 10.000 Anfrage senden
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K4T1G084QG-BCE6 0 Anfrage senden
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FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4T1G084QE-HCE60000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6T FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6T00 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCLE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HLE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-ZCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/D-HCE6/0MJ/000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE600 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE6000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C