K4T51163QN-BIE70EC

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Hersteller-Nummer K4T51163QN-BIE70EC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 800 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 14th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QN-BIE70EC 2.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS46DR16320B-25EBLA1-TR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR16320C-25DBLA1 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR16320C-25DBLA1-TR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR16320D-25DBLA1 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR16320D-25DBLA1-TR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR16320E-25DBLA1 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
IS46DR16320E-25DBLA1-TR FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QI-HIE7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QI-HIE7000 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C
K4T51163QN-BIE7 FBGA-84 1.8 V 800 MBPS -40 C~+85 C