K4U6E3S4AA-MGCR0UT

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Hersteller-Nummer K4U6E3S4AA-MGCR0UT
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie LPDDR4X SDRAM
IC-Code 512MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung TAPE ON REEL
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 4266 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 3.000 22 Anfrage senden
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 30.720 23+ Anfrage senden
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 0 Anfrage senden
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 10.000 Anfrage senden
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 1.280 Anfrage senden
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 100,000+ Anfrage senden
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 30.000 21+ Anfrage senden
K4U6E3S4AA-MGCR0UT 187 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4U6E3S4AM-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AM-MHCJ FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U6E3S4AM-TFCL03V FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4UHE3D4AB-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4UHE3D4AB-MGCL0 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4UHE3D4AB-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4UHE3D4AB-MGCLT00 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
MT53E512M32D1ZW-046WT VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
MT53E512M32D1ZW-046WT:BT VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C(WIR