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Hersteller-Nummer | K9F5608Q0B-DCB0 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 32MX8 NAND SLC |
Andere Bezeichnungen | K9F5608Q0B-DCB0000 |
Gehäuse | TBGA-63 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 1.8 V |
Betriebstemperatur | 0 C~+70 C |
Geschwindigkeit | 50 NS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x8 |
Density | 256M |
Generation | 3rd Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC Normal |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Normal |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K9F5608Q0B-DCB0 | 9.950 | Anfrage senden | |
K9F5608Q0B-DCB0000 | 10 | 04+05+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
K9F5608Q0C-DCBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | 0 C~+70 C |
K9F5608QOB-DCBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | 0 C~+70 C |
K9F5608QOC-DCBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | 0 C~+70 C |
K9F5608QOC-DIB/DCB | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | 0 C~+70 C |
K9F5608QOCDCBODIBO | TBGA-63 | 1.8 V | 50 NS | 0 C~+70 C |