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Hersteller-Nummer | K9W4G08U1M-YCLO |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 512MX8 NAND SLC |
Gehäuse | TSOP-48 |
Verpackung | |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 25 NS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Generation | 1st Generation |
Pre Prog Version | Serial |
Classification | SLC 4 Die Stack |
Cust Bad Block | 1~5 Bad Block |
Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K9W4G08U1M-YCLO | 1.000 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
K9W4G08UIM-YCBO | TSOP-48 | 2.7V-3.6V | 25 NS | 0 C~+85 C |
K9W4G08UOM-YCB | TSOP-48 | 2.7V-3.6V | 25 NS | 0 C~+85 C |
K9W4G08UOM-YCB0 | TSOP-48 | 2.7V-3.6V | 25 NS | 0 C~+85 C |
K9W4G08UOM-YCB0T | TSOP-48 | 2.7V-3.6V | 25 NS | 0 C~+85 C |
K9W4G08UOM-YCBO | TSOP-48 | 2.7V-3.6V | 25 NS | 0 C~+85 C |
K9W4GO8U1MYCB0000 | TSOP-48 | 2.7V-3.6V | 25 NS | 0 C~+85 C |