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Hersteller-Nummer | K9WBG08U1MIIBO |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 4GX8 NAND SLC |
Andere Bezeichnungen | K9WBG08U1MIIBOT |
Gehäuse | TLGA-52 |
Verpackung | |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 1 MHZ |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 4G |
Bit Organization | x8 |
Density | 32G |
Generation | 1st Generation |
Pre Prog Version | Serial |
Classification | SLC 4 Die Stack |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K9WBG08U1MIIBOT | 5.700 | Anfrage senden | |
K9WBG08U1MIIBO | 5.500 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
K9WBG08U1M-IIB0000 | TLGA-52 | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |
K9WBG08U1M-IIK0 | TLGA-52 | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |
K9WBG08U1MIIB0 | TLGA-52 | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |
K9WBG08U1MIIB00 | TLGA-52 | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |
K9WBG08U1MIIK00 | TLGA-52 | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |