K4T1G164QF-BCE6

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4T1G164QF-BCE6
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 64MX16 DDR2
共通IC编号 K4T1G164QF-BCE600
K4T1G164QF-BCE6000
K4T1G164QF-BCE60000
K4T1G164QF-BCE6:
K4T1G164QF-BCE6T
K4T1G164QF-BCE6T00
K4T1G164QF-BCE6TCV
K4T1G164QFBCE60

产品详情

脚位/封装 FBGA-84
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
标准包装数量 1280
标准外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4T1G164QF-BCE6 5,120 索取报价
K4T1G164QF-BCE6000 15,825 11+ 索取报价
K4T1G164QF-BCE6000 6,500 索取报价
K4T1G164QF-BCE6 86 索取报价
K4T1G164QF-BCE6 3,280 14+ 索取报价
K4T1G164QF-BCE6 10,000 21+ 索取报价
K4T1G164QF-BCE6 1,928 12+ 索取报价
K4T1G164QF-BCE6 350 11+ 索取报价
K4T1G164QF-BCE6 249 1034+ 索取报价
K4T1G164QF-BCE6 5,000 11+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EM68C16CWQD-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
EM68C16CWVB-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160BF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C2C-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C2F-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C2FL-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160CF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC 1G160BF-3S FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G1602F-3S FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-3S FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C