K4B2G0846F-BYMA
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4B2G0846F-BYMA |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR3L SDRAM |
| IC代碼 | 256MX8 DDR3 |
| 共通IC編號 | K4B2G0846F-BYMA000 |
| K4B2G0846F-BYMA0000 | |
| K4B2G0846F-BYMA0CV | |
| K4B2G0846F-BYMAT00 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-78 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 標準包裝數量 | 1280 |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 2G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 7th Generation |
| Power | Low VDD(1.35V) |
庫存
| IC 編號 | 數量 | 單價 (USD) | 生產年份 | 附記 | |
|---|---|---|---|---|---|
| K4B2G0846F-BYMAT00 | 26,000 | 2343 | AB庫存 | 索取報價 |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4B2G0846F-BYMA000 | 34,280 | 23+ | 索取報價 |
| K4B2G0846F-BYMA | 5,120 | 索取報價 | |
| K4B2G0846F-BYMA000 | 100,000 | 23+ | 索取報價 |
| K4B2G0846F-BYMA | 20,000 | 索取報價 | |
| K4B2G0846F-BYMA | 20,000 | 2023+ | 索取報價 |
| K4B2G0846F-BYMA | 8,960 | 索取報價 | |
| K4B2G0846F-BYMAT00 | 26,000 | 23+ | 索取報價 |
| K4B2G0846F-BYMA | 20,480 | 23+ | 索取報價 |
| K4B2G0846F-BYMA | 8,106 | 索取報價 | |
| K4B2G0846F-BYMA | 10,240 | 索取報價 |
可替代IC編號
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT41K256M8DA-107:K | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4B2G0846F-BCMA/BYMA | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4B2G0846F-BYMA/BCNB | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4B2G0846Q-BYMA | FBGA-78 | 1.35V | 1866 MBPS | 0 C~+85 C |