K4E641612B-TI50

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4E641612B-TI50
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DRAM
IC代碼 4MX16 EDO

產品詳情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 5.0 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 50 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4E641612C-TI5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C