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製造商IC編號 | K4H281638E-TLCC |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR1 SDRAM |
IC代碼 | 8MX16 DDR1 |
脚位/封装 | TSOP2(66) |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 2.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 200 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 8M |
Bit Organization | x16 |
Density | 128M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Low Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
IC43R16800-5T | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IC43R16800-5TG | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800A-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800A-5TL-TR | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800C-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800C-5TL-TR | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800CC-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800CC-5TL-TR | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800E-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R16800E-5TL 128M DRA | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |