K4T1G084QD-ZCE60MJ/QQ-HCE

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T1G084QD-ZCE60MJ/QQ-HCE
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 128MX8 DDR2

產品詳情

脚位/封装 FBGA-60
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4T1G084QD-ZCE60MJ/QQ-HCE 20,000 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
IS43DR81280B-3D FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR81280B-3DBL FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR81280C-3DBL FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G08400H-CE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G0840AZCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G0844QQ-HCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G0846E-HCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QA-ZCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QA-ZCE600 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QA-ZCE60MJ FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C