K4T1G084QD-ZCE60MJ

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T1G084QD-ZCE60MJ
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 128MX8 DDR2

產品詳情

脚位/封装 FBGA-60
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4T1G084QD-ZCE60MJ 20,000 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 10,000 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 2,000 2009+ 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 1,000 2008+ 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 100,000 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 5,000 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 5,000 7 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 20,000 08+ 索取報價
K4T1G084QD-ZCE60MJ 20,480 07+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4T1G084QE-HCE6T FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCE6T00 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HCLE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-HLE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE-ZCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/D-HCE6/0MJ/000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE600 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE6000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QEHYE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C