K4T1G084QQ-HYE6

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號	K4T1G084QQ-HYE6
廠牌	SAMSUNG/三星
IC 類別	DDR2 SDRAM
IC代碼	128MX8 DDR2

產品詳情

脚位/封装	FBGA-60
外包裝
無鉛/環保	無鉛/環保
電壓(伏)	1.8 V
溫度規格	0 C~+85 C
速度	667 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words	128M
Bit Organization	x8
Density	1G
Internal Banks	8 Banks
Generation	17th Generation
Power	Low VDD(1.35V)

供應鏈有貨

IC 編號	數量	生產年份
K4T1G084QQ-HYE6	4,000		索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	170	08+	索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	2,240	10+	索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	420	2009	索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	1,238	09+	索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	729		索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	420		索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	8,169		索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	4,260		索取報價
K4T1G084QQ-HYE6	8,169	2009	索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號	脚位/封装	電壓(伏)	速度	溫度規格
HY5PS1G831AFP-Y5-A	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HY5PS1G831AFPY5	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HY5PS1G831CFP-Y5	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HY5PS1G831CFP-Y5-C	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HY5PS1G831CFP-Y5/-S6	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HY5PS1G831CFP-Y5DR-C	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HY5PS1G831CFR-Y5-C	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18TC1G800BF-3S	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
HYB18TC1G800C2F-3S	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C
IS43DR81280A-3DBL	FBGA-60	1.8 V	667 MBPS	0 C~+85 C