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製造商IC編號 | K4T1G164QF-BCE6 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 64MX16 DDR2 |
共通IC編號 | K4T1G164QF-BCE600 |
K4T1G164QF-BCE6000 | |
K4T1G164QF-BCE60000 | |
K4T1G164QF-BCE6: | |
K4T1G164QF-BCE6T | |
K4T1G164QF-BCE6T00 | |
K4T1G164QF-BCE6TCV | |
K4T1G164QFBCE60 |
脚位/封装 | FBGA-84 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 667 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x16 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 7th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T1G164QF-BCE6 | 5,120 | 索取報價 | |
K4T1G164QF-BCE6000 | 15,825 | 11+ | 索取報價 |
K4T1G164QF-BCE6000 | 6,500 | 索取報價 | |
K4T1G164QF-BCE6 | 86 | 索取報價 | |
K4T1G164QF-BCE6 | 3,280 | 14+ | 索取報價 |
K4T1G164QF-BCE6 | 10,000 | 21+ | 索取報價 |
K4T1G164QF-BCE6 | 1,928 | 12+ | 索取報價 |
K4T1G164QF-BCE6 | 350 | 11+ | 索取報價 |
K4T1G164QF-BCE6 | 249 | 1034+ | 索取報價 |
K4T1G164QF-BCE6 | 5,000 | 11+ | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
HYB18TC1G160CF-3S | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640A-3DBL | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640B-3D | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640B-3DB | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640B-3DBL | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640B-3DBLT | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640BL-3DBL | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640C-3DB | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR16640C-3DBL | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T1G1640AZCE6 | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |