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製造商IC編號 | K4T51163QJ-BCE7 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 32MX16 DDR2 |
共通IC編號 | K4T51163QJ-BCE7000 |
K4T51163QJ-BCE7: | |
K4T51163QJ-BCE7T | |
K4T51163QJ-BCE7T00 | |
K4T51163QJ-BCE7TCV |
脚位/封装 | FBGA-84 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 800 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x16 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 11th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T51163QJ-BCE7 | 5,325 | 1228+ | 索取報價 |
K4T51163QJ-BCE7 | 1,125 | 1228+ | 索取報價 |
K4T51163QJ-BCE7 | 22,386 | 索取報價 | |
K4T51163QJ-BCE7 | 25,596 | 索取報價 | |
K4T51163QJ-BCE7 | 2,000 | 11+ | 索取報價 |
K4T51163QJ-BCE7 | 26,077 | 索取報價 | |
K4T51163QJ-BCE7 | 1,352 | 12+ | 索取報價 |
K4T51163QJ-BCE7 | 50,000 | 20+ | 索取報價 |
K4T51163QJ-BCE7000 | 5,500 | 索取報價 | |
K4T51163QJ-BCE7 | 263 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
NT5TU32M16FG-AC | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
HY5PS121621CFPS5 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621CLFP-E3 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621CLFP-S6 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621CLFPS5 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621F-E3 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621FP-E3 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621LF-E3 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621LFP-E3 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621LFP-S5 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HY5PS121621LFP-S6 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |