K9KBGD8U1M-HIB0
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K9KBGD8U1M-HIB0 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | FLASH-NAND |
| IC-Code | 4GX8 NAND SLC |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | BGA |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K9KBGD8U1M-HIB0 | 4.000 | Anfrage senden | |
| K9KBGD8U1M-HIB0 | 1.888 | Anfrage senden | |
| K9KBGD8U1M-HIB0 | 12.500 | Anfrage senden | |
| K9KBGD8U1M-HIB0 | 1.888 | 11+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K9KBG08U1M-HIB0 | BGA | 3.3 V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |
| K9KBG08U1M-HIB0000 | BGA | 3.3 V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |