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Hersteller-Nummer | K9KBG08U1M-HIB0 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 4GX8 NAND SLC |
Andere Bezeichnungen | K9KBG08U1M-HIB0000 |
Gehäuse | BGA |
Verpackung | |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 3.3 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 1 MHZ |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 4G |
Bit Organization | x8 |
Density | 32G |
Generation | 1st Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC DDP |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
Teilenummer | Menge | Stückpreis (USD) | Datecode | Anmerkung | |
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K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | Auf Lager | Anfrage senden |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | Anfrage senden | |
K9KBG08U1M-HIB0000 | 10.000 | 17+ | Anfrage senden |
K9KBG08U1M-HIB0 | 508 | Anfrage senden | |
K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K9KBGD8U1M-HIB0 | BGA | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |