图片仅供参考
制造商IC编号 | K9KBG08U1M-HIB0 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | FLASH-NAND |
IC代码 | 4GX8 NAND SLC |
共通IC编号 | K9KBG08U1M-HIB0000 |
脚位/封装 | BGA |
外包装 | |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 3.3 V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 1 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 4G |
Bit Organization | x8 |
Density | 32G |
Generation | 1st Generation |
Pre Prog Version | None |
Classification | SLC DDP |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
Mode | Dual nCE & Dual R/nB |
IC 编号 | 数量 | 单价 (USD) | 生产年份 | 附记 | |
---|---|---|---|---|---|
K9KBG08U1M-HIB0000 | 400 | 1128 | AB库存 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
K9KBGD8U1M-HIB0 | BGA | 2.7V-3.6V | 1 MHZ | -40 C~+85 C |