K9KBG08U1M-HIB0

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產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K9KBG08U1M-HIB0
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 FLASH-NAND
IC代碼 4GX8 NAND SLC
共通IC編號 K9KBG08U1M-HIB0000

產品詳情

脚位/封装 BGA
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 3.3 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 1 MHZ
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 4G
Bit Organization x8
Density 32G
Generation 1st Generation
Pre Prog Version None
Classification SLC DDP
Cust Bad Block Include Bad Block
Mode Dual nCE & Dual R/nB

庫存

IC 編號 數量 單價 (USD) 生產年份 附記
K9KBG08U1M-HIB0000 400 1128 AB庫存 索取報價

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K9KBG08U1M-HIB0000 400 索取報價
K9KBG08U1M-HIB0000 10,000 17+ 索取報價
K9KBG08U1M-HIB0 508 索取報價
K9KBG08U1M-HIB0000 400 1128 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K9KBGD8U1M-HIB0 BGA 2.7V-3.6V 1 MHZ -40 C~+85 C