H9CCNNNBLTMLAR-NTM
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | H9CCNNNBLTMLAR-NTM |
| 厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 类别 | LPDDR3 MOBILE |
| IC代码 | 512MX32 LPDDR3 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.2V |
| 温度规格 | Mobile (-30°C~85°C) |
| 速度 | 800 MHZ |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Generation | 1st |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | MCP DDR3 Only |
| Dram Voltage | 1.2V/1.2,x32 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 16Gb, QDP, 1Ch, 2CS |
| Nvm Speed | none |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4E6E304ED-EGCF | FBGA-178 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MBPS | -25 C~+85 C |