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制造商IC编号 | K4A8G165WB-BIWE |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR4 SDRAM |
IC代码 | 512MX16 DDR4 |
共通IC编号 | K4A8G165W B-BIWE0CV |
K4A8G165WB-BIWETCV |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.2 V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 3200 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x16 |
Density | 8Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
K4A8G165WB-BIWE | 50,000 | 23+ | 索取报价 |
K4A8G165W B-BIWE0CV | 50,000 | 22+ | 索取报价 |
K4A8G165WB-BIWE | 11,200 | 索取报价 | |
K4A8G165WB-BIWE | 20,160 | 索取报价 | |
K4A8G165WB-BIWE | 100,000+ | 222+ | 索取报价 |
K4A8G165WB-BIWE | 100,000+ | 222+ | 索取报价 |
K4A8G165WB-BIWE | 10,080 | 22+ | 索取报价 |
K4A8G165WB-BIWE | 2,240 | 索取报价 | |
K4A8G165WB-BIWE | 100,000+ | 202230 | 索取报价 |
K4A8G165WB-BIWE | 100,000+ | 202230 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT40A512M16LY-062E IT:E | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
IS43QR16512A-062BLA1 | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
IS43QR16512A-062BLI | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A8G165W B-BIWEOCV | FBGA-96 | 1.2 V | 3200 MBPS | -40 C~+85 C |