K4E160412D-DC50TOO

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4E160412D-DC50TOO
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 4MX4 EDO

产品详情

脚位/封装 TSOP2(24/26)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 3.3 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 50 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E160412D-DC50TOO 50,000 00 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IC41LV44004-50T TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IS41LV44002B-50TL TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412C-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50T TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-BC50T00 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC5 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E160412D-FC50000 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-FC50 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E170412C-FC50000 TSOP2(24/26) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C