K4T1G084QF-BCE6

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4T1G084QF-BCE6
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 128MX8 DDR2
共通IC编号 K4T1G084QF-BCE6000
K4T1G084QF-BCE60CV
K4T1G084QF-BCE6T
K4T1G084QF-BCE6T00
K4T1G084QF-BCE6TCV

产品详情

脚位/封装 FBGA-60
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4T1G084QF-BCE6 1,718 14+ 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 24,000 索取报价
K4T1G084QF-BCE6000 6,500 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 4,000 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 23,643 14+ 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 249 1343+ 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 800 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 1,280 11+ 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 5,660 索取报价
K4T1G084QF-BCE6 0 13+ 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT47H128M8QTM-3:J FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H128M8THK-3 ES:D FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H128M8THK-37E ES:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H128M8THK-37E ES:D FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H128M8THK-37E:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H128M8THK-37E:D FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H128M8THK-3:B FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H128M8THK-3:D FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
W971GG8JB-3 TFBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C