K9F1G08R0AJIB

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号	K9F1G08R0AJIB
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	FLASH-NAND
IC代码	128MX8 NAND SLC
共通IC编号	K9F1G08R0A-JIB0000
	K9F1G08R0AJIB0
	K9F1G08R0AJIB00

产品详情

脚位/封装	FBGA-63
外包装	TRAY
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.8 V
温度规格	-40 C~+85 C
速度	25 NS
标准包装数量	1280
标准外箱

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K9F1G08R0AJIB	5,500		索取报价
K9F1G08R0AJIB0	4,000		索取报价
K9F1G08R0AJIB0	104	06+	索取报价
K9F1G08R0AJIB0	32	200616	索取报价
K9F1G08R0AJIB0	12,500		索取报价
K9F1G08R0AJIB0	5,600	2011+	索取报价
K9F1G08R0AJIB0	10,000		索取报价
K9F1G08R0AJIB0	1,000		索取报价
K9F1G08R0AJIB0	32		索取报价
K9F1G08R0AJIB0	3,211	2008+	索取报价

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
MT29F1G08ABBHC-ET:B	VFBGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
MT29F1G08ABBHC-ETESB	VFBGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
MT29F1G08ABBHCETB	VFBGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
TC58BYG0S3HBAI4	BGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
TC58BYG0S3HBAI4 TRAY	BGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
TC58BYG0S3HBAI4JAH	BGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
TC58NYG0S3EBAI4	BGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
TC58NYG0S3EBAI4 REEL	BGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
TC58NYG0S3EBAI4JR0	BGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C
TC58NYG0S3EBAI4JRH	BGA-63	1.8 V	25 NS	-40 C~+85 C