K9F1G08UOE-BIBO
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K9F1G08UOE-BIBO |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | FLASH-NAND |
| IC代码 | 128MX8 NAND SLC |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-63 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 2.7V~3.6V |
| 温度规格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 25 NS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Number Of Words | 128M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 1G |
| Generation | 6th Generation |
| Pre Prog Version | Serial |
| Classification | SLC Normal |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K9F1G08UOE-BIBO | 15,360 | 索取报价 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| TC58BVG0S3HBAI4 TRAY | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58BVG0S3HBAI4-BDH | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58BVG0S3HBAI4JDH | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58BVG0S3HBAI4YCL | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58DVG02D5BAI4 | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58DVG02D5BAI4JAH | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58DVG02D5BAI4YCJ | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58DVG02I5BAI4 | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58NVG0S3EBAI4 | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58NVG0S3EBAI4 TRAY | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |