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制造商IC编号 | TH58NYG3S0HBAI4JDH |
厂牌 | KIOXIA/鎧俠 |
IC 类别 | FLASH-NAND |
IC代码 | 1GX8 NAND SLC |
脚位/封装 | BGA-63 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.8 V |
温度规格 | -40 C~+85 C |
速度 | 25 NS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 128M |
Bit Organization | x8 |
Density | 1G |
Mono Stack | Multi Chip |
Nand Type | NAND |
Cell Level | 2 Level( 1 bits/cell ) |
Page Size | 4KB |
Design Rule | 24nm B-type |
Package Size | TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11 |
Additional Code | JDH |
Package Material | Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes |
Channel | Single, # of CE 1 |
Block Size | 256KB |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
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TH58NYG3S0HBAI4JDH | 160 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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TC58NYG3S0FBAIDLDH | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
TH58BYG3S0HBAI4 TRAY | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
TH58NYG3S0HBAI4 | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
TH58NYG3S0HBAI4 TRAY | BGA-63 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |