TH58NYG3S0HBAI4JDH

产品概述

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制造商IC编号 TH58NYG3S0HBAI4JDH
厂牌 KIOXIA/鎧俠
IC 类别 FLASH-NAND
IC代码 1GX8 NAND SLC

产品详情

脚位/封装 BGA-63
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 25 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Mono Stack Multi Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 4KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 12 x 17 x 1.0, BGA[mm]: 60 balls, 9 x 11
Additional Code JDH
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 256KB

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
TH58NYG3S0HBAI4JDH 160 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
TC58NYG3S0FBAIDLDH BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TH58BYG3S0HBAI4 TRAY BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TH58NYG3S0HBAI4 BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C
TH58NYG3S0HBAI4 TRAY BGA-63 1.8 V 25 NS -40 C~+85 C