K4E641612C-TI5

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612C-TI5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612C-TI50

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Generation 4th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612C-TI50 12.000 Anfrage senden
K4E641612C-TI50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612C-TI50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612C-TI50 19.022 2003+ Anfrage senden
K4E641612C-TI50 18.200 2003+ Anfrage senden
K4E641612C-TI50 10.460 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612B-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI5000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C