K4E641612DTI5

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612DTI5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612D-TI50
K4E641612D-TI5000
K4E641612D-TI50T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612D-TI50 4.000 Anfrage senden
K4E641612D-TI50 418 2001+ Anfrage senden
K4E641612D-TI50 12.000 Anfrage senden
K4E641612D-TI50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612D-TI50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612D-TI50 19.003 2003+ Anfrage senden
K4E641612D-TI50 20.000 2004+ Anfrage senden
K4E641612D-TI50 2.000 2005+ Anfrage senden
K4E641612D-TI50 18.400 2003+ Anfrage senden
K4E641612D-TI50 5.000 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612B-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TI50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI50 OR MT4LCM TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP50T00 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E641612D50TI TSOP2(50) 5.0 V 50 NS -40 C~+85 C