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制造商IC编号 | K4A4G165WF-BCTD |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR4 SDRAM |
IC代码 | 256MX16 DDR4 |
共通IC编号 | K4A4G165WF-BCTD000 |
K4A4G165WF-BCTD0CV | |
K4A4G165WF-BCTDT00 | |
K4A4G165WF-BCTDTCV |
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.2 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | 2666 MBPS |
标准包装数量 | 1120 |
标准外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 7th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
MT40A256M16GE 083E:B | FBGA-96 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+70 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
H5AN4G6NAFR-VJC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G6NBJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G6NBJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G6NBJR-VKIR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
H5AN4G6NBJR-VKKR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43QR16256B-075UB | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43QR16256B-075UBL | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G1646F-BCTD | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G165WC-BCTD | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
K4A4G165WE-BCTD | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |