K4T1G084QE-HCE6

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 K4T1G084QE-HCE6
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 128MX8 DDR2
共通IC编号 K4T1G084QE-HCE60
K4T1G084QE-HCE600
K4T1G084QE-HCE6000
K4T1G084QE-HCE60000
K4T1G084QE-HCE6T
K4T1G084QE-HCE6T00

产品详情

脚位/封装 FBGA-60
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4T1G084QE-HCE6 116 1104+ 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 3,840 10+ 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 272 10+ 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 3,840 10 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 5,660 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 12,500 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 100 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 4,789 2012+ 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 5,000 9 索取报价
K4T1G084QE-HCE6 2,440 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4T1G084QE/QQ-HCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE600 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QE/QQ-HCE6000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QEHYE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QF-BCE6 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QF-BCE6 R TP FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QF-BCE6000 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QF-BCE6000 SAM FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QF-BCE60CV FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G084QF-BCE6T FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C